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產品資料

鎢銅合金

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產品名稱: 鎢銅合金
產品型號: 銅合金批發
產品展商: 上等銅合金
產品文檔: 無相關文檔

簡單介紹

鎢銅合金由鎢和銅組成的合金。常用合金的含銅量為10％～50％。合金用粉末冶金方法制取，具有很好的導電導熱性，較好的高溫強度和一定的塑性。在很高的溫度下，如3000℃以上，合金中的銅被液化蒸發，大量吸收熱量，降低材料表面溫度。所以這類材料也稱為金屬發汗材料。


鎢銅合金  的詳細介紹
鎢銅合金
鎢和銅組成的合金。常用合金的含銅量為10％～50％。合金用粉末冶金方法制取，具有很好的導電導熱性，較好的高溫強度和一定的塑性。在很高的溫度下，如3000℃以上，合金中的銅被液化蒸發，大量吸收熱量，降低材料表面溫度。所以這類材料也稱為金屬發汗材料。鎢銅合金有較廣泛的用途，主要是用來制造抗電弧燒蝕的高壓電器開關的觸頭和火箭噴管喉襯、尾舵等高溫構件，也用作電加工的電極、高溫模具以及其他要求導電導熱性能和高溫使用的場合。
 
產品牌號：CuW,RWMA Class 10,RWMA Class 11,RWMA Class 12
 
鎢銅采用等靜壓成型—高溫燒結鎢骨架—溶滲銅的工藝，是鎢和銅的一種合金。
 
●電阻焊電極：
 
綜合了鎢和銅的優點，耐高溫、耐電弧燒蝕、強度高、比重大、導電、導熱性好，易于切削加工，并具有發汗冷卻等特性，由于具有鎢的高硬度、高熔點、抗粘附的特點，經常用來做有一定耐磨性、抗高溫的凸焊、對焊電極。
 
●電火花電極：針對鎢鋼、耐高溫超硬合金制作的模具需電蝕時，普通電極損耗大，速度慢。而鎢銅高的電腐蝕速度，低的損耗率，**的電極形狀，優良的加工性能，能保證被加工件的**度大大提高。
 
●高壓放電管電極：高壓真空放電管在工作時，觸頭材料會在零點幾秒的的時間內溫度升高幾千攝氏度。而鎢銅高的抗燒蝕性能、高韌性，良好的導電、導熱性能給放電管穩定的工作提供必要的條件。
 
●電子封裝材料：既有鎢的低膨脹特性，又具有銅的高導熱特性，其熱膨脹系數和導電導熱性可以通過調整材料的成分而加以改變，從而給材料的使用提供了便利。
 
定做各種異型規格。定做不同鎢比例鎢銅合金。
 
物理指標：
 
鎢銅CuW55% （RWMA Class 10） 硬度：72HRB，導電率：45%IACS，軟化溫度：900℃
 
鎢銅CuW75% （RWMA Class 11）硬度：94RHRB，導電率：40%IACS，軟化溫度：900℃
 
鎢銅CuW80% （RWMA Class 12）硬度：98RHRB，導電率：35%IACS，軟化溫度：900℃
鎢銅合金的主要應用
鎢銅合金綜合了金屬鎢和銅的優點，其中鎢熔點高(鎢熔點為3410℃，鐵的熔點1534℃)，密度大(鎢密度為19.34g/cm3，鐵的密度為7.8 g/cm3) ；銅導電導熱性能優越，鎢銅合金(成分一般范圍為WCu7~WCu50)微觀組織均勻、耐高溫、強度高、耐電弧燒蝕、密度大；導電、導熱性能適中，廣泛應用于**耐高溫材料、高壓開關用電工合金、電加工電極、微電子材料，做為零部件和元器件廣泛應用于航天、航空、電子、電力、冶金、機械、體育器材等行業。
 
一、**耐高溫材料
 
鎢銅合金在航天航空中用作發動機的噴管、燃氣舵、空氣舵、鼻錐，主要要**要求耐高溫(3000K~5000K)、耐高溫氣流沖刷能力，主要利用銅在高溫下揮發形成的發汗制冷作用(銅熔點1083℃)，降低鎢銅表面溫度，保證在高溫極端條件下使用。
 
二、高壓開關用電工合金
 
鎢銅合金在高壓開關128kV SF6斷路器WCu/CuCr中，以及高壓真空負荷開關(12kV 40.5KV 1000A)，避雷器中得到廣泛應用，高壓真空開關體積小，易于維護，使用范圍廣，能在潮濕、易燃易爆以及腐蝕的環境中使用。主要性能要**耐電弧燒蝕、抗熔焊、截止電流小、含氣量少、熱電子發射能力低等。除常規宏觀性能要求外，還要求氣孔率，微觀組織性能，故要采取特殊工藝，需真空脫氣、真空熔滲等復雜工藝。
 
三、電加工電極
 
電火花加工電極早期采用銅或石墨電極，便宜但不耐燒蝕，現在基本上已被鎢銅電極頂替。鎢銅電極的優點是耐高溫、高溫強度高、耐電弧燒蝕，并且導電導熱性能好，散熱快。應用集中在電火花電極、電阻焊電極和高壓放電管電極。
 
電加工電極特點是品種規格繁多，批量小而總量多。作為電加工電極的鎢銅材料應具有盡可能高的致密度和組織的均勻性，特別是細長的棒狀、管狀以及異型電極。
 
四、微電子材料
 

鎢銅電子封裝和熱沉材料，既具有鎢的低膨脹特性，又具有銅的高導熱特性，其熱膨脹系數和導熱導電性能可以通過調整鎢銅的成分而加以改變，因而給鎢銅提供了更廣的應用范圍。由于鎢銅材料具有很高的耐熱性和良好的導熱導電性，同時又與硅片、砷化鎵及陶瓷材料相匹配的熱膨脹系數，故在半導體材料中得到廣泛的應用。適用于與大功率器件封裝材料、熱沉材料、散熱元件、陶瓷以及砷化鎵基座等。



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